反应离子刻蚀（RIE）是一种操作简单、经济实惠的通用等离子体刻蚀解决方案；

      系统采用射频平板电容放电方式，充满反应腔室的气体分子，在射频电场作用下被电离而产生等离子体；

      等离子体中的活性基团与被刻蚀材料表面发生化学反应，同时在垂直于样片表面的射频自偏压作用下，实现了垂直于样片表面向下的        各向异性刻蚀

      AR系列

• 适用于4″、6″、8″样片的刻蚀，尺寸向下兼容；

• 配备固态射频电源及相应的自动匹配网络，可实现90%以上的功率馈入；

• 电源有300W、600W、1000W三档可选，最低稳定放电功率可达5W；

• 多层匀气机构工艺气体喷淋头，可以将反应气体均匀的布满整个样片表面；

• 可实现快速地、均匀性一致的刻蚀；

• 可配置的工艺气体有：CF₄、SF₆、CHF₃、C₂F₈、O₂、N₂等；

• 可扩展到-150ºC至+400ºC刻蚀温度范围；

• 全自动刻蚀压力控制，配合高抽气能力提供宽广的工艺压力窗口；

• 配置可在任意位置动态悬停的触摸式显示屏，全自动操作，各个部件工作状态以仿真图示实时显示，可实现各个子系统的全自动和手动面板控制

• 标准配置采用单腔室设计，水冷工件台，取送样片方便简洁，成本更低；

• 可选配Load-Lock晶圆传输机构，极大提高工作效率的同时，保证了刻蚀环境的洁净度；

• 可选配He背面冷却的ECS晶圆夹持技术，可实现最佳样片温度控制；

• 可选配质谱或光谱式终点监测系统（End-point），实时监测等离子状态以实现精确的刻蚀控制；

• 可刻蚀的材料包括

介电材料（SiO2、SiNx等）

硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

类金刚石（DLC）。