ICP刻蚀是一种效率更高、功能更强大的先进加工技术，旨在实现高刻蚀率、高选择性和低损伤的刻蚀加工；

      由于等离子体密度更高，且保持在低压状态，因此还能具备出色的剖面刻蚀控制能力，可实现大深宽比和特殊形貌的刻蚀；

      偏压电极提供了可单独控制的直流偏压，用以控制离子能量，因此可实现垂直于样片表面向下的高度各向异性刻蚀，从而获得符合特        定工艺要求的出色结果

       ACE系列

• 适用于4″、6″、8″样片的刻蚀，尺寸向下兼容；

• 配备固态射频电源及相应的自动匹配网络，可实现90%以上的功率馈入；

• 上电极射频电源有600W、1000W两档可选；

• 石英或陶瓷材料制成的介质腔，可适应不同材料的刻蚀；

• 可实现快速地、均匀性一致的刻蚀；

• 可配置的工艺气体有：CF₄、SF₆、CHF₃、C₂F₈、O₂、N₂等

• 可扩展到-150ºC至+400ºC刻蚀温度范围；

• 全自动刻蚀压力控制，配合高抽气能力提供宽广的工艺压力窗口；

• 配置可在任意位置动态悬停的触摸式显示屏，全自动操作，各个部件工作状态以仿真图示实时显示，可实现各个子系统的全自动和手动面板控制；

• 标准配置采用单腔室设计，水冷工件台，取送样片方便简洁，成本更低；

• 可选配Load-Lock晶圆传输机构，极大提高工作效率的同时，保证了刻蚀环境的洁净度；

• 可选配He背面冷却的ECS晶圆夹持技术，可实现最佳样片温度控制；

• 可选配质谱或光谱式终点监测系统（End-point），实时监测等离子状态以实现精确的刻蚀控制；

• 可刻蚀的材料包括：

介电材料（SiO2、SiNx等）

硅基材料（Si，a-Si，poly Si）

类金刚石（DLC）。