真空蒸发镀膜是在真空条件下，用蒸发器加热蒸发物质或加热蒸发镀膜材料使之升华，蒸发粒子流直接射向基片，并在基片上沉积形        成固态薄膜的物理气相沉积技术；

      蒸发镀膜成膜方法简单、薄膜纯度和致密性高、膜结构和性能独特等优点，广泛应用于各种光学膜系、低熔点材料蒸发、有机物蒸发        半导体掺杂等领域；

      热阻蒸发、电子束蒸发、恒温蒸发器（束源炉）

      ATE系列

• 可选蒸发源：

热阻蒸发（电阻丝、蒸发舟）

电子束蒸发

恒温蒸发器（束源炉）

• 适用于4″、6″、8″样片上的薄膜沉积，尺寸向下兼容；

• 平面或伞形样片载架，可实现多个样片的批量薄膜沉积；

• 可单蒸发源沉积，也可实现多个源共蒸发薄膜沉积；

• 可选配可精确控制开合面积和位置的挡片系统，以实现高通量薄膜制备；

• 可扩展到室温至+600ºC沉积温度范围，以及最高300°的环境温度控制；

• 可选配可选配清洗和辅助用蒸发离子源，包括考夫曼源、射频离子源、霍尔离子源等；

• 可选配石英晶振膜厚仪、光学膜厚监测系统等，精确监控薄膜厚度和薄膜生长状态；

• 配置可在任意位置动态悬停的触摸式显示屏，全自动操作，各个部件工作状态以仿真图示实时显示，可实现各个子系统的全自动和手动面板控制；

• 标准配置采用单腔室设计，取送样片方便简洁，成本更低；

• 可选配Load-Lock样片传输机构，极大提高工作效率的同时，保证了刻蚀环境的洁净度；