离子束刻蚀是在真空中利用离子源产生的带有一定能量的准直离子束进行刻蚀，可以刻蚀几乎已知的任何材料；

      刻蚀方式有不含反应性离子的物理轰击刻蚀，以及包含了F、O、N等反应性离子的化学刻蚀；

      刻蚀过程中，离子能量、离子束流、各气体分压、入射角度、旋转速度等参量均可精确独立控制；

      可实现高选择比刻蚀、斜角结构刻蚀、倾斜槽结构刻蚀等；

      还能实现在各种形貌及结构的表面终极抛光，以达到光滑整洁的结构效果。

      AE/AER系列

• 考夫曼（DC）离子源、射频离子源（RFICP）可选；

• 可选双层或三层准直型离子光学系统（三层离子光学发散角更小）；

• 浸没式热丝中和（HW）、直流灯丝等离子桥式中和器（DNB）、射频等离子桥式中和器可选（RNB）；

• 适用于4″、6″、8″样片的刻蚀，尺寸向下兼容；

• 还可根据不同形状的（如棒状、丝状、体块、粉末、柔性薄膜等）样品定制专用的加持机构；

• 2.0×10^-2Pa至7.0×10^-2Pa全自动刻蚀压力控制，保证了更加稳定的离子束输出特性；

• -90°至+90°的宽范围刻蚀角度调节区间，可适应各种所需形貌的完美刻蚀；

• 0-30RPM样片旋转速率可调范围；

• 低至零下，最高300度的刻蚀温度控制范围；

• 刻蚀模式包含：

非反应性离子束物理轰击刻蚀（IBE）

反应离子束刻蚀（RIBE）

化学辅助离子束刻蚀（CAIBE）

离子束增强化学辅助刻蚀（IBAE）

• 可配置的工艺气体有：Ar、Xe、CF₄、SF₆、CHF₃、O₂、N₂等

• 配置可在任意位置动态悬停的触摸式显示屏，全自动操作，各个部件工作状态以仿真图示实时显示，可实现各个子系统的全自动和手动面板控制；

• 标准配置采用单腔室设计，水冷或可加热工件台，取送样片方便简洁，成本更低；

• 可选配Load-Lock晶圆传输机构，极大提高工作效率的同时，保证了刻蚀环境的洁净度；

• 可选配He背面冷却的样片夹持技术，包含机械夹持和ECS夹持，可实现最佳样片温度控制；

• 可选配多种工作模式的OES或SIMS终点监测系统（End-point），实时监测等离子状态以实现精确的刻蚀控制。