系统包含溅射离子源和辅助离子源，与其它PVD技术相比，IBD具有几乎任意材料的普遍适用性，可沉积包括金属、非金属、合金、          化合物和其它任何固体材料；

      具有聚焦型离子光学系统的溅射离子源所产生的离子束直接轰击到靶材表面上，被溅射出来的靶材物质沉积到斜向下的衬底表面；

      与衬底相对的辅助离子源（可选准直或发散离子光学系统）一方面可以实现沉积前的衬底表面清洗及活化，也可以实现沉积过程中的        辅助溅射轰击，以调节改变薄膜特性；

      沉积过程中，离子能量、离子束流、各气体分压、溅射角度、旋转速度等参量均可精确独立控制；

      具备薄膜生长应力控制功能，可溅射10μm以上的高密度超厚膜，以及sub-5nm的超薄膜，还可控制生长晶向、晶粒尺寸等；

      因此可以沉积高质量的介质膜、光学薄膜和其它具有超光滑表面的薄膜。

      AD/ADR系列

• 考夫曼（DC）离子源、射频离子源（RFICP）可选；

• 溅射源为聚焦型离子光学，辅助源可选择准直型或发散型离子光学；

• 溅射源可选双层或三层准直型离子光学系统（三层离子光学发散角更小）；

• 浸没式热丝中和（HW）、直流灯丝等离子桥式中和器（DNB）、射频等离子桥式中和器可选（RNB）；

• 适用于4″、6″、8″衬底上的薄膜沉积，以及多片小尺寸衬底的轮流薄膜沉积以适用批量加工；

• 还可根据不同形状的（如棒状、丝状、端面、体块、粉末、柔性薄膜等）样品定制专用的加持机构；

• 2.0×10^-2Pa至7.0×10^-2 Pa全自动刻蚀压力控制，保证了更加稳定的离子束输出特性；

• 具备反应离子束溅射沉积（RIBD）能力，通过引入反应性气体，调节薄膜材料中不同化学组分比例；

• 可实现±40°的沉积角度调节，以及±90°的辅助清洁角度调节；

• 可提供低温、室温或最高450°的沉积温度控制，以及最高300°的环境温度控制；

• 可配置的工艺气体有：Ar、O₂、N₂等；

• 可选配石英晶振膜厚仪、光学膜厚监测系统等精确监控薄膜厚度和薄膜生长状态；

• 配置可在任意位置动态悬停的触摸式显示屏，全自动操作，各个部件工作状态以仿真图示实时显示，可实现各个子系统的全自动和手动面板控制；

• 标准配置采用单腔室设计，水冷或可加热工件台，取送样片方便简洁，成本更低；

• 可选配Load-Lock晶圆传输机构，极大提高工作效率的同时，保证了沉积环境的洁净度；

• 可选配机械夹持和ECS晶圆夹持技术，可实现最佳衬底温度控制；