等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质重新发生化学反应，从而实现目标        薄膜材料生长的一种薄膜制备技术。

      PECVD淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性，经常用于生长高质量的钝化层或高密度掩膜。正        由于这些优点使其在集成电路、光电器 件、 MEMS、生物医药等领域具有广泛的应用。

      AVC系列

• 适用于4″、6″、8″样片上的薄膜沉积，尺寸向下兼容；

• 配备固态射频电源及相应的自动匹配网络，可实现90%以上的功率馈入；

• 电源有300W、600W、1000W三档可选，可选双频电源以调节薄膜性能；

• 多层匀气机构工艺气体喷淋头，可以将反应气体均匀的布满整个样片表面；

• 可实现快速地、均匀性一致的镀膜；

• 可配置的工艺气体有：SiH₄、B₂H₆、PH₃、CH₄、C₄H₈、H₂、N₂O、CO₂、N₂、Ar、He、金属离子有机物气态源等；

• 可扩展到室温至+400ºC沉积温度范围，以及最高300°的环境温度控制；

• 全自动沉积压力控制，配合高抽气能力提供宽广的工艺压力窗口；

• 可选腔体及气路吹扫和保护系统；

• 可选配等离子清洗工艺可实现腔体内壁的自清洁功能，无需人工打磨或擦洗；

• 配置可在任意位置动态悬停的触摸式显示屏，全自动操作，各个部件工作状态以仿真图示实时显示，可实现各个子系统的全自动和手动面板控制；

• 标准配置采用单腔室设计，取送样片方便简洁，成本更低；

• 可选配Load-Lock晶圆传输机构，极大提高工作效率的同时，保证了刻蚀环境的洁净度；

• 可选配ECS晶圆夹持技术，可实现最佳样片温度控制；

• 可选配OES、朗缪尔探针等在线诊断系统，以精确控制等离子状态及分布；

• 可生长材料（用户可根据实际需要选配）：

硅基（Si）薄膜：非晶硅（a-Si）、多晶硅（poly-Si）、氧化硅（SiOx）、氮化硅（SixNy）、碳化硅（SiC）等

碳基（C）薄膜：石墨、类金刚石（DLC）、碳纳米管（CNTs）、碳纳米线（CNWs）等

TiO₂、ZnO、CF_x、聚合物薄膜、生物相容性薄膜等