磁控溅射是在真空环境中利用磁场与电场的交互作用，产生的荷能粒子轰击目标靶材表面，使被轰击出的粒子沉积在衬底上的薄膜沉        积技术；

      磁控溅射设备结构简单、易于控制、镀膜面积大，沉积的薄膜具有洁净度高、速率快、均匀性高、低温、低损伤等优点，是目前最受        欢迎的一种通用PVD技术；

      适用于各种金属、合金、化合物、陶瓷、超导、铁磁、铁电、热电、磁性材料薄膜的溅射沉积；

      可提供完全由用户定制的单靶溅射、多靶轮流溅射、多靶共溅射方案；

      具有最完备的可控反应溅射沉积功能，通过靶材表面电压及辉光等离子不同波段光谱的实时监测来精确调节反应分量比例，可实现持        续、稳定的反应溅射。

      AMS系列

• 多种磁控溅射阴极尺寸规格可选

2″、4″、6″、8″标准磁场阴极

6″、8″旋转磁场阴极

平衡磁场、非平衡磁场阴极可选

可选强磁场溅射阴极用于磁性材料溅射；

• 部分小尺寸溅射阴极具备原位倾斜功能，可实现最多6个阴极的共溅射沉积；

• 可适用于2″、4″、6″以及最大可至8″衬底上的薄膜沉积；

• 还可以实现多个小尺寸衬底的轮流薄膜沉积以适用批量加工；

• 溅射电源可选类型

直流电源

射频电源

中频电源

直流脉冲电源

• 衬底台也可以选配偏压电源，包括直流电源和直流脉冲电源等；

• 可实现液氮低温冷却、或最高800°的衬底温度控制；

• 0-30RPM，或最高500RPM连续旋转；

• 可选配等离子光谱监测、靶材表面电压监测、电源输出功率、流量控制等多个单元联动的闭环反应溅射功能；

• 用于掺杂的反应成分包括O、N、C、S等多种元素；

• 可选配辅助溅射离子源，包括考夫曼源、射频离子源、霍尔离子源等；

• 可选配石英晶振或光学膜厚监测，以及各种原位分析系统；

• 配置可在任意位置动态悬停的触摸式显示屏，全自动操作，各个部件工作状态以仿真图示实时显示，可实现各个子系统的全自动和手动面板控制；

• 标准配置采用单腔室设计，水冷或可加热工件台，取送样片方便简洁，成本更低；

• 可选配Load-Lock晶圆传输机构，极大提高工作效率的同时，保证了沉积环境的洁净度；

可选配机械夹持和ECS晶圆夹持技术，可实现最佳衬底温度控制；